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1.5µm超緊湊型單次自相關儀正式上市
1.5µm超緊湊型單次自相關儀正式上市2024-06-17

FemtoEasyμ-ROC單次自相關儀采用極其緊湊和堅固的設計理念，突破了ROC原理極限，其體積和高爾夫球一般大小，能夠在緊湊型自相關器內測量單次自相關軌跡。...

  • 鈦寶石飛秒激光器的技術原理與應用
    2024-06-24
    在光學和激光技術的飛速發展下，鈦寶石飛秒激光器憑借其特殊的性能和廣泛的應用領域，成為科研和工業界的重要工具。本文將詳細探討它的技術原理，以及其在不同領域的應用。一、技術原理鈦寶石飛秒激光器是采用鈦寶石作為增益介質的飛秒激光器。其技術原理主要基于鈦寶石晶體的吸收和發射光譜特性。在抽運光源的作用下，鈦寶石晶體能夠產生激光輸出。特別地，飛秒激光指脈沖寬度在10^-15秒以下的超短脈沖激光，這使得激光器在時間分辨率和能量密度上達到了高的水平。具體來說，它通過特定的泵浦源和光學諧振腔結...
  • THz高萊盒探測器的應用場景
    2024-05-14
    THz高萊盒探測器是一種基于量子效應的新型探測器，它能夠在極低溫環境下工作，并且對太赫茲波段的輻射具有很高的響應性。由于其優異的性能，它在許多高科技領域都有著廣泛的應用場景。1、天文學觀測在天文學領域，用于觀測宇宙中的星系、恒星和行星等天體發出的太赫茲波。由于太赫茲波可以穿透塵埃和氣體，使用這種探測器可以幫助科學家更好地理解星系的形成和演化，以及恒星和行星系統的誕生。2、環境監測在環境科學領域，可用于監測大氣中的溫室氣體和其他污染物。太赫茲波段的輻射可以被許多氣體分子吸收，通...
  • 窄線寬單頻激光器的技術原理
    2024-04-11
    窄線寬單頻激光器是一種特殊的激光器，具有很高的光譜純度和穩定的輸出功率，被廣泛應用于光學通信、光譜分析、激光雷達等領域。它的技術原理涉及到激光的產生、光譜的窄化以及單頻輸出的實現等多個方面。首先，激光的產生是工作的基礎。激光的產生基于受激輻射的原理，即當入射光子的能量與原子或分子的某個能級差相等時，原子或分子會吸收這個光子并躍遷到高能級，然后再自發地輻射出一個與入射光子相同的光子。這個過程中，光子數量呈指數增長，形成了激光束。在該激光器中，通常使用光學諧振腔來增強激光的產生效...

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了解下太赫茲相機高速線性掃描相機的核心功能
了解下太赫茲相機高速線性掃描相機的核心功能2025-09-11

以下是關于太赫茲相機高速線性掃描相機的核心功能的詳細介紹：1.超高速成像能力高的幀率：該設備支持高達每秒5000幀（5KHz）的圖像采集速率，能夠實時捕捉快速移動物體的細節變化。這種速度使其適用于動態場景下的檢測需求，例如高速傳送帶上的產品質檢或流體動力學研究。同步優化設計：系統由太赫茲成像相機與信號發生器組成，兩者高度同步且集成化。通過專門配置的喇叭天線均勻擴散太赫茲光束，確保輻射功率高效傳遞至傳感器陣列，從而保證在高速掃描下仍能獲得穩定的圖像質量。2.高分辨率與精準檢測精...

  • 光束質量分析儀實時測量能有效控制光束質量
    2025-10-15
    以下是關于光束質量分析儀實時測量有效控制光束質量的具體流程描述：1.準備階段在正式開始測量前，需確保質量分析儀處于良好的工作狀態。這包括檢查設備的電源連接是否正常、各部件之間的線路有無松動或損壞，以及確認光學傳感器等關鍵元件的清潔度和性能穩定性。同時，要根據被測光束的特性（如波長范圍、功率水平等），對儀器進行適當的預熱和校準操作，使其達到最佳的響應靈敏度和準確性。此外，還需準備好相應的輔助工具，如反射鏡、透鏡等用于引導和聚焦光束進入分析儀的光路系統。2.光束質量分析儀光束導入...
  • 太赫茲相機高速線性掃描相機應用領域
    2025-09-15
    太赫茲相機高速線性掃描相機憑借其技術優勢，在多個領域展現出廣泛的應用潛力。以下是其主要應用領域的具體介紹：1.工業制造與質量控制無損檢測（NDT）：該設備可穿透大多數非金屬材料，如塑料、陶瓷和木材等，能夠高效識別內部缺陷或結構異常，適用于汽車零部件、電子元器件等產品的質量篩查。例如，在生產線上通過傳送帶集成實現實時動態檢測，確保產品符合標準。生產過程監控：支持高達15米/秒的掃描速度，可與高速流水線配合使用，對連續運動的物體進行成像分析，優化生產工藝參數并提升效率。其高分辨率...
  • 以下是幾種主流的太赫茲晶體制備技術
    2025-08-18
    太赫茲晶體的制備工藝因其應用領域（如通信、成像、光譜分析等）和材料類型（半導體、非線性光學晶體、鐵電體等）的不同而有所差異。以下是幾種主流的太赫茲晶體制備技術及其關鍵步驟：一、生長法（適用于大尺寸單晶）1.提拉法（CzochralskiMethod）原理：通過精確控制溫度梯度，從熔融態液相中緩慢提拉籽晶生長出高質量單晶。適用材料：GaP、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族半導體；也可用于部分氧化物晶體（如藍寶石）。工藝要點：采用射頻感應加熱或電阻加熱保持坩堝內原料熔化；旋轉籽晶桿以均...
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